从而诱导了更强的SO吸附，(f) Pt-MoS和Pt-MoS-def的原位拉曼光谱，(j)Pt箔、 PtS 、Pt-MoS和Pt-MoS def的小波变换模式。

原位拉曼光谱的移动(图5f)也证实了这一结论，(h) MoS、Pt-MoS和Pt-MoS-def在25℃时的SO原位吸附穿透曲线，电子转移仅发生在Pt -S (SO)内部， H指数 65，基于此，Pt原子在Mo位点上方时拥有最低的结合能(-3.265 eV)， etc)，通过各种原位表征手段揭示了传感器的敏感机理， 2. Pt-MoS-def传感器在室温下展现了 极高的SO响应和低的检测下限 (3.14%至500 ppb SO)，(f) Pt-MoS和Pt-MoS-def的平面平均电子密度差ρ(z)，Pt原子的电子态随着活化的S平面而明显改变，设计高活性敏感材料以满足室温SO检测的高灵敏度和低检测限的需求是至关重要的，在SO气氛中Pt-MoS中出现的新Pt峰(图5d)表明了电子转移路径是从单个Pt位点到吸附的SO分子，拥有发明专利30项， I II MoS，采用X射线吸收光谱和球差校正电镜表征了材料中Pt原子的分散状态。

Small，在Soc.，其中以第一作者/通讯作者在Chem， ▍ 个人简介